HMDS烘箱在第三代半導體材料中的工藝

HMDS烘箱在第三代半導體材料中的工藝

  第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（禁帶寬度Eg>2.3eV）的半導體材料。其中又以SiC和GaN為最核心的材料。然而這些新材料襯底在光刻模塊中的標準步驟是：脫水烘烤、HMDS prime、抗蝕劑旋轉/噴涂、軟烘烤、對準、曝光、曝光后烘烤、顯影硬烘烤和除渣。

  HMDS prime - 在晶圓表面涂上附著力促進劑。附著力促進劑用于與晶圓表面發生化學反應，并用有機官能團取代 -OH 基團，與羥基不同，該官能團對光刻膠具有良好的附著力。硅烷通常用于此目的，最常見的是六甲基二硅烷 (HMDS)。

  施加粘合促進劑的優選方法是將基材置于 HMDS 蒸汽中，通常是在升高的溫度和降低的壓力下。這允許在沒有過多 HMDS 沉積的情況下對基材進行良好的涂覆，并且更高的溫度會導致與硅烷醇基團的反應好。

  文中所要求的HMDS蒸汽及升高溫度和降低壓力的制作工藝，可在HMDS烘箱中完成，無需獨立操作，一鍵作業。

HMDS烘箱技術規格：

內腔尺寸：300×300×300、450×450×450（mm）（可定制）

材質：內箱采用 316L 醫用級不銹鋼

溫度范圍：RT+30-200℃

真空度：≤1torr

電源及總功率：AC 220V±10% / 50HZ，總功率約2.8KW

控制儀表：人機界面，一鍵運行

擱板層數：2 層

HMDS控制：可控制HMDS添加量

真空泵：無油渦旋真空泵

HMDS藥液泄漏報警提示功能

HMDS低液位報警提示功能

工藝數據記錄功能

藥液管道預熱功能

程序鎖定保護等功能